2SK2000-R
MOSFET
N-Channel
TO3PF
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
32.000 A
RDSon
0.0600 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
80.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3PF |
| tr - Rise Time | 80 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 500 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 32 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 80 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.06 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK2000-R:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK2000-R?
Los reemplazos compatibles para el 2SK2000-R incluyen: AON7408, 2SK1988, 2SK1989, 2SK1990, 2SK1991, 2SK1992, 2SK1993, 2SK1994, 2SK1995, 2SK2040, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK2000-R?
El 2SK2000-R es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3PF.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK2000-R?
El 2SK2000-R tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 32.000 A.