2SK2018-01S
MOSFET
N-Channel
K-PACK-S
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.1000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | K-PACK-S |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 200 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK2018-01S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK2018-01S?
Los reemplazos compatibles para el 2SK2018-01S incluyen: 2SK1078, 2SK2013, AOD436, BSN304, 2SK2018-01L, 2SK2012, 2SK2623, 2SK3508-01MR, 2SK4200LS, 2SK3354, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK2018-01S?
El 2SK2018-01S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado K-PACK-S.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK2018-01S?
El 2SK2018-01S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.