2SK2082-01

MOSFET N-Channel TO3P

Parametros Principales

Vds Max. 900.000 V
Id Max. 9.000 A
RDSon 1.4000 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 150.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO3P
tr - Rise Time 60 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 210 pF
|Id| - Maximum Drain Current 9 A
Pd - Maximum Power Dissipation 150 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 900 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 1.4 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK2082-01:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SK2082-01?

Los reemplazos compatibles para el 2SK2082-01 incluyen: 2SK208, 2SK2078, 2SK2077, 2SK2045LS, 2SK2052-R, 2SK2054C, 2SK2057, 2SK2059L, 2SK2059S, 2SK2080-01R, y 12 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SK2082-01?

El 2SK2082-01 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SK2082-01?

El 2SK2082-01 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.000 A.

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