2SK258H
MOSFET
N-Channel
TO3
Parametros Principales
Vds Max.
250.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
1.1200 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
125.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| ton - Turn-on Time | 25 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 350 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 250 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.12 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK258H:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK258H?
Los reemplazos compatibles para el 2SK258H incluyen: 2SK1063, 2SK1064, BS170, 2SK2578, 2SK2579, 2SK2580, 2SK2581, 2SK2588, 2SK2320, 2SK2328, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK258H?
El 2SK258H es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK258H?
El 2SK258H tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 250.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.