2SK2606
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
1.2000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
85.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 25 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 200 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 85 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.2 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK2606:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK2606?
Los reemplazos compatibles para el 2SK2606 incluyen: 2SK2009, 2SK2033, 2SK2034, 2SK2035, 2SK2036, 2SK2037, 2SK2601, 2SK2602, 2SK2607, 2SK2613, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK2606?
El 2SK2606 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK2606?
El 2SK2606 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.