2SK2616
MOSFET
N-Channel
TP
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
2.000 A
RDSon
4.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
30.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TP |
| tr - Rise Time | 13 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 100 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK2616:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK2616?
Los reemplazos compatibles para el 2SK2616 incluyen: 2SJ608, 20N50, 2SK2613, 2SK2615, 2SK2608, 2SK2610, 2SK2611, 2SK2614, 2SK1456, 2SK1457, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK2616?
El 2SK2616 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TP.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK2616?
El 2SK2616 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.