2SK2635
MOSFET
N-Channel
ZP
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
3.500 A
RDSon
3.6000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
40.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | ZP |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 3.6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK2635:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK2635?
Los reemplazos compatibles para el 2SK2635 incluyen: 2SK3878, 2SK2633LS, 2SK2632LS, 2SK2627, 2SK2628LS, 2SK2631, 2SK2532, 2SK2533, 2SK2534, 2SK2556, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK2635?
El 2SK2635 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado ZP.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK2635?
El 2SK2635 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.500 A.