2SK2663
MOSFET
N-Channel
E-PACK
Parametros Principales
Vds Max.
900.000 V
Id Max.
1.000 A
RDSon
14.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
10.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | E-PACK |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 23 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 10 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 900 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 14 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK2663:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK2663?
Los reemplazos compatibles para el 2SK2663 incluyen: 2SJ646, 2SJ169, 2SJ170, 2SK2661, 2SK2662, 2SK2654-01, 2SK2655-01R, AON6414A, 2SK266, 2SK2659, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK2663?
El 2SK2663 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado E-PACK.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK2663?
El 2SK2663 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.000 A.