2SK2690-01
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
80.000 A
RDSon
0.0100 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
125.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 75 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1250 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 80 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.01 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK2690-01:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK2690-01?
Los reemplazos compatibles para el 2SK2690-01 incluyen: 10N60, 2SK2684L, 2SK2684S, 2SK2687-01, 2SK2688-01L, 2SK2688-01S, 2SK1384, 2SK1384R, 2SK1385-01R, 2SK1386-01, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK2690-01?
El 2SK2690-01 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK2690-01?
El 2SK2690-01 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 80.000 A.