2SK2699
MOSFET
N-Channel
SC65 TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
12.000 A
RDSon
0.6500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
150.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SC65 TO3P |
| tr - Rise Time | 45 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 820 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.65 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK2699:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK2699?
Los reemplazos compatibles para el 2SK2699 incluyen: 2SK2036, 2SK2037, 2SK2601, 2SK2602, 2SK2606, 2SK2607, 2SK2613, 2SK2615, 2SK2719, 2SK2823, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK2699?
El 2SK2699 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SC65 TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK2699?
El 2SK2699 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.