2SK2729

MOSFET N-Channel TO3P

Parametros Principales

Vds Max. 500.000 V
Id Max. 20.000 A
RDSon 0.2900 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 150.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO3P
tr - Rise Time 140 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 900 pF
|Id| - Maximum Drain Current 20 A
Pd - Maximum Power Dissipation 150 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 500 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.29 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK2729:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SK2729?

Los reemplazos compatibles para el 2SK2729 incluyen: 2SK2719, 2SK2728, 2SK2624ALS, 2SK2689-01MR, 2SK2690-01, 2SK2691-01R, 2SK2715TL, 2SK2725, 2SK2726, 2SK2727, y 10 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SK2729?

El 2SK2729 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SK2729?

El 2SK2729 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 20.000 A.

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