2SK2730
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
25.000 A
RDSon
0.2400 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
175.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 140 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1000 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 25 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 175 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.24 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK2730:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK2730?
Los reemplazos compatibles para el 2SK2730 incluyen: 2SK2728, 2SK2689-01MR, 2SK2690-01, 2SK2691-01R, 2SK2715TL, 2SK2725, 2SK2726, 2SK2727, 2SK2729, 2SK3468-01, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK2730?
El 2SK2730 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK2730?
El 2SK2730 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 25.000 A.