2SK277
MOSFET
N-Channel
TO3
Parametros Principales
Vds Max.
350.000 V
Id Max.
7.000 A
RDSon
1.5000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| tr - Rise Time | 10 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 600 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 7 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 350 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK277:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK277?
Los reemplazos compatibles para el 2SK277 incluyen: 18N50, 2SK2761-01MR, 2SK2765-01, 2SK2769-01MR, 2SK2760-01, 2SK2764-01R, 2SK2766-01R, 2SK2767-01, 2SK1686, 2SK1694, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK277?
El 2SK277 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK277?
El 2SK277 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 350.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.000 A.