2SK2770-01
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
900.000 V
Id Max.
3.500 A
RDSon
5.5000 Ω
Vgs Max.
35.000 V
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 40 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 75 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 35 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 900 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 5.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK2770-01:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK2770-01?
Los reemplazos compatibles para el 2SK2770-01 incluyen: 2SK2761-01MR, 2SK2765-01, 3401, 2SK2769-01MR, 2SK2807-01S, 2SK2808-01MR, 2SK2809-01MR, 2SK2857C, 2SK2858, 2SK2880, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK2770-01?
El 2SK2770-01 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK2770-01?
El 2SK2770-01 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.500 A.