2SK2796
MOSFET
N-Channel
DPAK
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
5.000 A
RDSon
0.1600 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DPAK |
| tr - Rise Time | 25 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 90 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.16 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK2796:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK2796?
Los reemplazos compatibles para el 2SK2796 incluyen: 2SK3878, 2SK2789, 2SK2791, 2SK2792, 2SK2793, 2SK2795, 2SK2790, 2SK2735, 2SK2736, 2SK2737, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK2796?
El 2SK2796 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DPAK.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK2796?
El 2SK2796 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.000 A.