2SK2912S
MOSFET
N-Channel
LDPAK
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
40.000 A
RDSon
0.0200 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | LDPAK |
| tr - Rise Time | 180 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 720 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 40 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.02 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK2912S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK2912S?
Los reemplazos compatibles para el 2SK2912S incluyen: 2SK2684S, 2SK2735L, 2SK2735S, 2SK2796L, 2SK2796S, 2SK2869L, 2SK2869S, 2SK2912L, 2SK2925L, 2SK2925S, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK2912S?
El 2SK2912S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado LDPAK.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK2912S?
El 2SK2912S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 40.000 A.