2SK2980
MOSFET
N-Channel
MPAK
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
1.000 A
RDSon
0.2800 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
0.800 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MPAK |
| tr - Rise Time | 30 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 75 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.8 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.28 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK2980:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK2980?
Los reemplazos compatibles para el 2SK2980 incluyen: 2SK2974, 2SK2975, 2SK2976, 2SK2977LS, 2SK298, 2SK2940, 2SK2955, 2SK2956, 2SK2957, 2SK2958, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK2980?
El 2SK2980 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado MPAK.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK2980?
El 2SK2980 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.000 A.