2SK3012
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
16.000 A
RDSon
0.6000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
125.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| ton - Turn-on Time | 130 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 480 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 16 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3012:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3012?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3012 incluyen: 2SK3003, 2SK3004, AO3400, 2SK301, 2SK2991L, 2SK2991S, 2SK2993L, 2SK2993S, 2SK3009, 2SK3009B, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3012?
El 2SK3012 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3012?
El 2SK3012 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 16.000 A.