2SK3018WT1
MOSFET
N-Channel
SOT323
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
0.100 A
RDSon
13.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.200 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT323 |
| tr - Rise Time | 35 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 9 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 13 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3018WT1:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3018WT1?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3018WT1 incluyen: 2N4003NLT1, 2N7002DW1T1, 2N7002ELT1, 2N7002LT1, 2N7002NT1, 2N7002WT1, 2N7000, 2SK3017, 2SK3018, 2SK3018UB, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3018WT1?
El 2SK3018WT1 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT323.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3018WT1?
El 2SK3018WT1 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.100 A.