2SK3019EB
MOSFET
N-Channel
EMT3F
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
0.100 A
RDSon
5.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.150 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | EMT3F |
| tr - Rise Time | 35 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 9 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.15 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3019EB:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3019EB?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3019EB incluyen: 20N60, 2SK3018, 2SK3018UB, 2SK3019, 2SK3541, 2SK3018W, 2SK3018WT1, 2SK3019C3, 2SK3019A, 2SK3018WT.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3019EB?
El 2SK3019EB es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado EMT3F.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3019EB?
El 2SK3019EB tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.100 A.