2SK308
MOSFET
N-Channel
TO3
Parametros Principales
Vds Max.
120.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.3000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| tr - Rise Time | 50 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 650 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 120 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.3 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK308:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK308?
Los reemplazos compatibles para el 2SK308 incluyen: 2SK3070S, 2SK3074, 2SK3075, 2SK3077, 2SK3078, 2SK3078A, 2SK3079A, 2SK2960, 2SK3109-AZ, 2SK312, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK308?
El 2SK308 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK308?
El 2SK308 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 120.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.