2SK3082
MOSFET
N-Channel
LDPAK
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.0750 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
30.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | LDPAK |
| tr - Rise Time | 55 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 190 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.075 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3082:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3082?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3082 incluyen: 2SK3077, 2SK3078, 2SK3078A, 2SK3079A, 2SK308, 2SK2978, 2SK2979, 2SK2980, 2SK3000, 2SK3069, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3082?
El 2SK3082 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado LDPAK.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3082?
El 2SK3082 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.