2SK3082L

MOSFET N-Channel LDPAK

Parametros Principales

Vds Max. 60.000 V
Id Max. 10.000 A
RDSon 0.0750 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 30.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package LDPAK
tr - Rise Time 55 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 190 pF
|Id| - Maximum Drain Current 10 A
Pd - Maximum Power Dissipation 30 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 60 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.075 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3082L:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SK3082L?

Los reemplazos compatibles para el 2SK3082L incluyen: 2SK2938S, 2SK2939L, 2SK2939S, 2SK2940L, 2SK2940S, 2SK2958STL, 2SK3070L, 2SK3070S, 2SK3082STL, 2SK3134L, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SK3082L?

El 2SK3082L es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado LDPAK.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3082L?

El 2SK3082L tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.

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