2SK3109-AZ
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
200.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.4000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3109-AZ:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3109-AZ?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3109-AZ incluyen: 2SK3105, 2SK3107, 2SK3108, 2SK3109, 2SK3102-01R, 2SK3101LS, 2SK2960, 2SK308, 2SK312, 2SK313, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3109-AZ?
El 2SK3109-AZ es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3109-AZ?
El 2SK3109-AZ tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.