2SK3111-S
MOSFET
N-Channel
TO262
Parametros Principales
Vds Max.
200.000 V
Id Max.
20.000 A
RDSon
0.1200 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
65.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO262 |
| tr - Rise Time | 90 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 300 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 20 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 65 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.12 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3111-S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3111-S?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3111-S incluyen: 2SK3105, 2SK3107, 2SK3108, 2SK3109, 2SK3109-S, 2SK3109-ZJ, 2SK3110, 2SK3111, 2SK3111-ZJ, AP01N60P, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3111-S?
El 2SK3111-S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO262.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3111-S?
El 2SK3111-S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 20.000 A.