2SK3112

MOSFET N-Channel TO263

Parametros Principales

Vds Max. 200.000 V
Id Max. 25.000 A
RDSon 0.1100 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 100.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO263
tr - Rise Time 140 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 430 pF
|Id| - Maximum Drain Current 25 A
Pd - Maximum Power Dissipation 100 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 200 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.11 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3112:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SK3112?

Los reemplazos compatibles para el 2SK3112 incluyen: 2SK3109-S, 2SK3109-ZJ, 2SK3110, 2SK3111, 2SK3111-S, 2SK3111-ZJ, AON6380, 2SK311, 2SK3107C, 2SK3114B, y 2 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SK3112?

El 2SK3112 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3112?

El 2SK3112 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 25.000 A.

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