2SK3113-Z
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
2.000 A
RDSon
4.4000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 2 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 60 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 4.4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3113-Z:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3113-Z?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3113-Z incluyen: 2SK3111, 2SK3111-S, 2SK3111-ZJ, 2SK3113, 2SK2923, 2SK2924, 2SK294, 2SK295, 2SK3092D, 2SK3092I, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3113-Z?
El 2SK3113-Z es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3113-Z?
El 2SK3113-Z tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.