2SK3116-S
MOSFET
N-Channel
TO262
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
7.500 A
RDSon
0.9000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
70.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO262 |
| tr - Rise Time | 15 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 200 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 7.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 70 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.9 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3116-S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3116-S?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3116-S incluyen: 2SJ416, 2SJ417, 2SJ419, 2SJ418, 2SJ420, 2SJ421, 2SK3115, 2SK3116, 2SK3116-ZJ, 2SK3129, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3116-S?
El 2SK3116-S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO262.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3116-S?
El 2SK3116-S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.500 A.