2SK3116B

MOSFET N-Channel TO220AB TO263

Parametros Principales

Vds Max. 600.000 V
Id Max. 7.500 A
RDSon 1.2000 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 70.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO220AB TO263
tr - Rise Time 11 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 380 pF
|Id| - Maximum Drain Current 7.5 A
Pd - Maximum Power Dissipation 70 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 600 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 1.2 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3116B:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SK3116B?

Los reemplazos compatibles para el 2SK3116B incluyen: 2SK3115, 2SK3116, 2SK3116-S, 2SK3116-ZJ, 2SK3114, 8N65, 2SK3114B, 2SK3115B.

¿Que tipo de transistor es el 2SK3116B?

El 2SK3116B es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220AB TO263.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3116B?

El 2SK3116B tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.500 A.

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