2SK312
MOSFET
N-Channel
TO3
Parametros Principales
Vds Max.
400.000 V
Id Max.
12.000 A
RDSon
0.9000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
125.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| tr - Rise Time | 50 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 330 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 400 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.9 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK312:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK312?
Los reemplazos compatibles para el 2SK312 incluyen: 2SK3117, 2SK3116, 2SK3116-S, 2SK3116-ZJ, AON6426, 2SK3119, 2SK2960, 2SK308, 2SK3109-AZ, 2SK313, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK312?
El 2SK312 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK312?
El 2SK312 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 400.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.