2SK3130

MOSFET N-Channel TO220NIS

Parametros Principales

Vds Max. 600.000 V
Id Max. 6.000 A
RDSon 1.5500 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 40.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO220NIS
tr - Rise Time 25 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 400 pF
|Id| - Maximum Drain Current 6 A
Pd - Maximum Power Dissipation 40 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 600 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 1.55 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3130:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SK3130?

Los reemplazos compatibles para el 2SK3130 incluyen: 2SK3085, 2SK3089, 2SK3090, 2SK3117, 2SK3125, 2SK3126, 2SK3127, 2SK3128, 2SK3176, 2SK3205, y 10 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SK3130?

El 2SK3130 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220NIS.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3130?

El 2SK3130 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.000 A.

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