2SK3132
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
50.000 A
RDSon
0.0950 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
250.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 105 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 4200 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 50 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 250 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.095 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3132:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3132?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3132 incluyen: 2SK2962, 2SK2963, 2SK2964, 2SK2968, 2SK2989, 2SK2992, 2SK2998, 2SK3017, 2SK3301, 2SK3371, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3132?
El 2SK3132 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3132?
El 2SK3132 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 50.000 A.