2SK3163
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
75.000 A
RDSon
0.0075 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
110.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 300 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1000 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 75 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0075 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3163:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3163?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3163 incluyen: 2SK3161L, 2SK3161S, 2SK316, 2SK3155, 2SK3156, 2SK3157, 2SK3158, 2SK3159, 2SK3160, 2SK3161, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3163?
El 2SK3163 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3163?
El 2SK3163 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 75.000 A.