2SK3299-S
MOSFET
N-Channel
TO262
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.7500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
75.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO262 |
| tr - Rise Time | 17 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 280 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 75 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.75 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3299-S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3299-S?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3299-S incluyen: 2SK3296, 2SK3296-S, 2SK3296-ZK, 2SK3296-ZJ, 2SK3272-01SJ, 2SK3277, 2SK3288ENTL, 2SK3294, 2SK3295, 2SK3298, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3299-S?
El 2SK3299-S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO262.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3299-S?
El 2SK3299-S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.