2SK3307

MOSFET N-Channel TO3P

Parametros Principales

Vds Max. 60.000 V
Id Max. 70.000 A
RDSon 0.0075 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 120.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO3P
tr - Rise Time 1260 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 780 pF
|Id| - Maximum Drain Current 70 A
Pd - Maximum Power Dissipation 120 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 60 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.0075 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3307:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SK3307?

Los reemplazos compatibles para el 2SK3307 incluyen: 2SK3302, AP10P10GJ-HF, AP11N50I, 2SK3285, 2SK3287, 2SK3288, 2SK3289, 2SK3290, 2SK3304, 2SK3310, y 12 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SK3307?

El 2SK3307 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3307?

El 2SK3307 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 70.000 A.

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