2SK3309B
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
450.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.6500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
65.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 65 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 450 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.65 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3309B:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3309B?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3309B incluyen: 2SK3309, 2SK3307, 8N60, 2SK3305-ZJ, 2SK3305, 2SK3306B, 2SK3112-S, 2SK3112-ZJ, 2SK3113-Z, 2SK3124, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3309B?
El 2SK3309B es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3309B?
El 2SK3309B tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 450.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.