2SK3312B
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
6.000 A
RDSon
1.2500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
65.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 65 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.25 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3312B:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3312B?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3312B incluyen: 2SK3309, 2SK3312, 2SK3307, 2SK3310, 2SK3306B, 2SK3113-Z, 2SK3124, 2SK3127B, 2SK3127K, 2SK3285B, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3312B?
El 2SK3312B es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3312B?
El 2SK3312B tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.000 A.