2SK3325
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.8500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
85.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 11 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 190 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 85 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.85 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3325:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3325?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3325 incluyen: 2SK3230, 2SK325, 2SK3305, 2SK3306B, 2SK3318, 2SK3320, 2SK3322, 2SK3324, 2SK3326B, 2SK3333, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3325?
El 2SK3325 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3325?
El 2SK3325 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.