2SK3386-Z
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
34.000 A
RDSon
0.0210 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
40.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 310 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 340 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 34 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.021 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3386-Z:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3386-Z?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3386-Z incluyen: 2SK3378, 2SK3366-Z, 2SK3367, 2SK3367-Z, 2SK3377, 2SK3377-Z, 2SK3385, 2SK3385-Z, 2SK3386, 2SK4143-S17-AY, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3386-Z?
El 2SK3386-Z es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3386-Z?
El 2SK3386-Z tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 34.000 A.