2SK3399K
MOSFET
N-Channel
TO262
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.7500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO262 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.75 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3399K:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3399K?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3399K incluyen: 2SK3388, 2SK3389, 2SK3397, 2SK3398, 2SK3399, 2SK3391, 2SK3325-S, 2SK3325-ZJ, 2SK3352, 2SK3352B, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3399K?
El 2SK3399K es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO262.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3399K?
El 2SK3399K tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.