2SK3412
MOSFET
N-Channel
TP
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
14.000 A
RDSon
0.0620 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TP |
| tr - Rise Time | 12 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 170 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 14 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.062 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3412:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3412?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3412 incluyen: 2SJ163, 2SK2842, 2SK3407, 2SK3121, 2SK3122, 2SK3278, 2SK3291, 2SK3292, 2SK3293, 2SK3335, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3412?
El 2SK3412 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TP.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3412?
El 2SK3412 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 14.000 A.