2SK3412I
MOSFET
N-Channel
TO251
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
14.000 A
RDSon
0.0620 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 14 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.062 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3412I:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3412I?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3412I incluyen: 2SK3407, 2SK3411, 2SK3412, 2SK3405, 2SK3364, 2SK3377-ZK, 2SK3403B, 2SK3403K, 2SK3404-Z, 2SK3404-ZK, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3412I?
El 2SK3412I es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3412I?
El 2SK3412I tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 14.000 A.