2SK3512S
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
12.000 A
RDSon
0.5200 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
95.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 95 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.52 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3512S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3512S?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3512S incluyen: 2SK3511-S, 2SK3511-Z, 2SK3511-ZJ, 2SK3512-01L, 2SK3512-01S, 2SK3512-01SJ, 2SK3404-ZJ, 2SK3412D, 2SK3412I, 2SK3417B, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3512S?
El 2SK3512S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3512S?
El 2SK3512S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.