2SK3526-01S
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
1.2000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
135.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 9 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 100 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 135 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.2 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3526-01S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3526-01S?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3526-01S incluyen: 2SK3523-01R, 2SK3525-01MR, 2SK3519-01, 2SK3520-01MR, 2SK3521-01L, 2SK3521-01S, 2SK3521-01SJ, 2SK3522-01, 2SK3524-01, 2SK3526-01L, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3526-01S?
El 2SK3526-01S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3526-01S?
El 2SK3526-01S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.