2SK3556-01SJ
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
250.000 V
Id Max.
37.000 A
RDSon
0.1000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
270.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 30 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 220 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 37 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 270 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 250 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3556-01SJ:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3556-01SJ?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3556-01SJ incluyen: 2SK3512-01L, 2SK3512-01S, 2SK3512-01SJ, 2SK3513-01L, 2SK3513-01S, 2SK3513-01SJ, 2SK3556-01L, 2SK3556-01S, 2SK3694-01L, 2SK3694-01S, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3556-01SJ?
El 2SK3556-01SJ es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3556-01SJ?
El 2SK3556-01SJ tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 250.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 37.000 A.