2SK3567
MOSFET
N-Channel
TO220SIS
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
3.500 A
RDSon
2.2000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
35.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220SIS |
| tr - Rise Time | 12 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 60 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 35 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 2.2 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3567:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3567?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3567 incluyen: 2SK3564, 2SK3565, 2SK3566, 2SK3462, 2SK3497, 2SK3499, 2SK3506, 2SK3543, 2SK3561, 2SK3562, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3567?
El 2SK3567 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220SIS.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3567?
El 2SK3567 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.500 A.