2SK3581-01SJ
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
16.000 A
RDSon
0.4600 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
225.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 16 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 160 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 16 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 225 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.46 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3581-01SJ:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3581-01SJ?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3581-01SJ incluyen: 2N7000, 2SK3576, 2SK3577, 2SK358, 2SK2903-01MR, 2SK2904-01, 2SK2905-01R, 2SK2906-01, 2SK2907-01R, 2SK3580-01MR, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3581-01SJ?
El 2SK3581-01SJ es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3581-01SJ?
El 2SK3581-01SJ tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 16.000 A.