2SK3582MFV
MOSFET
N-Channel
VESM
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
0.000 A
RDSon
1800.0000 Ω
Potencia Max.
0.100 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | VESM |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.0003 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 125 °C |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1800 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3582MFV:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3582MFV?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3582MFV incluyen: 2SK246, 2SK30ATM, 2SK330, 2SK3376CT, 2SK3376MFV, 2SK3376TK, 2SK3376TV, 2SK3582CT, 2SK3582TK, 2SK3582TV, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3582MFV?
El 2SK3582MFV es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado VESM.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3582MFV?
El 2SK3582MFV tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.000 A.