2SK3637
MOSFET
N-Channel
TOP-3E-A1
Parametros Principales
Vds Max.
200.000 V
Id Max.
50.000 A
RDSon
0.0290 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TOP-3E-A1 |
| tr - Rise Time | 125 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 750 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 50 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.029 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3637:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3637?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3637 incluyen: 2SK3633, 2SK363, 2SK2352, 2SK2655-01R, 2SK2872-01MR, 2SK3430, 2SK3430-S, 2SK3430-Z, 2SK3523-01R, 2SK3525-01MR, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3637?
El 2SK3637 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TOP-3E-A1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3637?
El 2SK3637 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 50.000 A.