2SK3666
MOSFET
N-Channel
CP
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
0.010 A
RDSon
200.0000 Ω
Potencia Max.
0.200 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | CP |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.01 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.2 W |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 200 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3666:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3666?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3666 incluyen: 2SJ652, 2SJ656, 2SK3658, 2SK3662, 2SK366, 2SK3656, 2SK3663, 2SK3664, 2SK3659, 2SK3115B, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3666?
El 2SK3666 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado CP.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3666?
El 2SK3666 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.010 A.